大(dà)家(jiā)好(hǎo)，来看(kàn)一则突发消(xiāo)息。

　　美光公司在华销售的产品未通过(guò)网络安全审查

　　据网信办消(xiāo)息，日前，网(wǎng)络安(ān)全审查办公室依(yī)法对美(měi)光(guāng)公司(sī)在华销(xiāo)售产品(pǐn)进行了网络安全审查(chá)。

　　审查发现，美光公司(sī)产品存在较严重网络安全(quán)问题隐患，对我(wǒ)国(guó)关键信息基础设(shè)施供应(yīng)链造成重(zhòng)大安全风险，影响(xiǎng)我国国家安全(quán)。为此，网络(luò)安全审查(chá)办公(gōng)室依(yī)法作出不予通过网络安全审(shěn)查的结(jié)论(lùn)。按照《网络安全法》等(děng)法律法规，我国(guó)内关键(jiàn)信息基础设施(shī)的运(yùn)营(yíng)者应停止(zhǐ)采(cǎi)购美(měi)光公司(sī)产品。

　　此次对美光公司(sī)产(chǎn)品(pǐn)进行网(wǎng)络(luò)安全审查，目(mù)的是防范产(chǎn)品网络安(ān)全问题(tí)危害国家关键信(xìn)息基础设施安全，是(shì)维护(hù)国家(jiā)安全的必(bì)要措施。中(zhōng)国坚定(dìng)推进高水平对(duì)外开放，只(zhǐ)要(yào)遵守(shǒu)中国法律法(fǎ)规要(yào)求，欢迎各国企业、各类平台产品服(fú)务进入(rù)中国市场。

　　3月(yuè)31日，中(zhōng)国网信网发(fā)文称，为保障关键信息基础设施供应链安全(quán)，防范产品问题隐(yǐn)患造成网络安全风险，维护国(guó)家(jiā)安全，依据《中(zhōng)华人民(mín)共和国国家安全法》《中华人民共和国网络安全法》，网络安全审查办公(gōng)室按照《网络安(ān)全审查办法(fǎ)》，对美光公司(sī)（Micron）在华(huá)销售的产(chǎn)品(pǐn)实施网络安全审查。

　　美光是美(měi)国的存储芯片行(xíng)业龙头，也是(shì)全球存储(chǔ)芯片巨头之一，2022年收(shōu)入(rù)来自中(zhōng)国市场收入从此(cǐ)前高峰57％降(jiàng)至(zhì)2022年约11％。根据市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计高铁允许携带多少香烟，高铁有规定可以带多少烟，2021 年三星(xīng)电(diàn)子、 铠侠、西部数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市(shì)场份(fèn)额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士(shì)、美(měi)光在全球 DRAM （内存(cún)）市(shì)场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江波龙、佰维存储等公司披露过(guò)美(měi)光(guāng)等国(guó)际存储(chǔ)厂商为公司供应商。

　　美光在江(jiāng)波龙采(cǎi)购占比已经显著(zhù)下降，至少(shǎo)已经不是主要(yào)大供应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美光位列江波龙第(dì)一大存储晶圆供应商(shāng)，采购(gòu)约(yuē)31亿(yì)元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第(dì)三大供应(yīng)商采购金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经在存储产(chǎn)业链上(shàng)下游建立国(guó)内外(wài)广泛合作。2022年年(nián)报显示(shì)，江波(bō)龙与三(sān)星、美光、西部数据等主要(yào)存储晶圆原厂签署(shǔ)了长期合约，确高铁允许携带多少香烟，高铁有规定可以带多少烟保存储晶圆(yuán)供应的稳定性，巩固公司在下游(yóu)市场(chǎng)的供应优势，公(gōng)司也与国内国(guó)产存储(chǔ)晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持(chí)良好的合作。

　　有(yǒu)券商此前就(jiù)分析，如果美光在中(zhōng)国(guó)区(qū)销(xiāo)售受到(dào)限制，或(huò)将(jiāng)导致下游客户转(zhuǎn)而采购国外三星、 SK海力士(shì)，国(guó)内长江存(cún)储(chǔ)、长鑫存(cún)储等竞(jìng)对产品(pǐn)

　　分(fēn)析称，长存(cún)、长鑫的上(shàng)游(yóu)设备厂(chǎng)或(huò)从中受益。存储(chǔ)器的生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键(jiàn)、最(zuì)大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉(chén)积工(gōng)艺步骤，同时刻蚀目前前沿要(yào)刻到 60：1的深(shēn)孔(kǒng)，未来(lái)可能(néng)会更(gèng)深的孔或者沟槽(cáo)，催生更多设备需(xū)求(qiú)。据东京电子披露，薄膜沉(chén)积设备及(jí)刻(kè)蚀(shí)占3D NAND产(chǎn)线资本(běn)开(kāi)支合(hé)计为(wèi)75％。自(zì)长(zhǎng)江存储被加入美国(guó)限(xiàn)制名单(dān)，设备国产化进程(chéng)加速，看(kàn)好拓(tuò)荆科(kē)技（薄膜沉积）等(děng)相关(guān)公司份额(é)提升，以及存储(chǔ)业务占比(bǐ)较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收(shōu)入增长。

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