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　　美(měi)光公司在华销(xiāo)售的(de)产(chǎn)品(pǐn)未通(tōng)过网络(luò)安全审查

　　据网信办(bàn)消(xiāo)息，日前，网络安全审查办公室依法对(duì)美光公司(sī)在华(huá)销(xiāo)售产品进行了网(wǎng)络安全审(shěn)查(chá)。

　　审查发现(xiàn)，美光公司产品存在(zài)较严重网络安全(quán)问(wèn)题(tí)隐患(huàn)，对我国(guó)关键信(xìn)息基础设施(shī)供应链造成重大(dà)安(ān)全(quán)风险，影(yǐng)响我国国家安全(quán)。为此，网络安全审查(chá)办公(gōng)室(shì)依法作出不(bù)予通过网络安全(quán)审查的结论。按(àn)照(zhào)《网络(luò)安(ān)全法》等法律法规，我国内(nèi)关(guān)键(jiàn)信息基(jī)础设施的运营者应停止采购美光(guāng)公司产品。

　　此次对(duì)美光公司产品进行网络安全审(shěn)查(chá)，目(mù)的(de)是防范(fàn)产品(pǐn)网(wǎng)络安全问(wèn)题危(wēi)害国(guó)家关(guān)键信(xìn)息基础设施(shī)安(ān)全，是维护国家安全的必要措施。中国坚定(dìng)推进高水平对外(wài)开(kāi)放，只要遵守(shǒu)中国法律法规要(yào)求，欢迎各(gè)国企业、各类平台产品服务进入中国市(shì)场(chǎng)。

　　3月31日，中国(guó)网信(xìn)网发文称，为保障关键信(xìn)息基础设施供(gōng)应链安全，防范产品(pǐn)问题(tí)隐患(huàn)造(zào)成网络安全风险，维护(hù)国家安全，依(yī)据《中(zhōng)华人民共和国国(guó)家安(ān)全(quán)法》《中华人民共和国网络安全法(fǎ)》，网(wǎng)络安(ān)全审查办公室按照《网(wǎng)络安(ān)全审查办法(fǎ)》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销售的产品实施网络安全审查。

　　美(měi)光是美国的(de)存储芯(xīn)片行业(yè)龙头，也(yě)是全球(qiú)存储(chǔ)芯片巨头(tóu)之一，2022年收入来自中国市场收入(rù)从(cóng)此前高峰57％降至2022年约11％。根据市(shì)场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美光在(zài)全(quán)球 DRAM （内存）市场份(fèn)额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江(jiāng)波(bō)龙、佰维存储(chǔ)等公(gōng)司(sī)披露过(guò)美光等国际(jì)存储厂商为公(gōng)司供应商。

　　美(měi)光(guāng)在江波(bō)龙采购占比已经(jīng)显(xiǎn)著下降，至少已经(jīng)不是(shì)主要大供(gōng)应商。

　　公(gōng)告显示(shì)， 2021年美(měi)光(guāng)位列江波龙(lóng)第一大存(cún)储晶圆(yuán)供应商，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大(dà)、第二大和(hé)第三大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙(lóng)已经(jīng)在(zài)存储产业(yè)链(liàn)上(shàng)下游(yóu)建立国(guó)内外广泛合(hé)作。2022年年(nián)报显示，江波龙与三星、美光(guāng)、西(xī)部数据等主(zhǔ)要(yào)存储(chǔ)晶圆原厂(chǎng)签署了长(zhǎng)期合约，确保存储晶圆(yuán)供应的稳定性，巩固(gù)公司(sī)在下游市场的供应优势，公司也(yě)与国内国产存储晶圆原厂(chǎng)武汉长江存储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有(yǒu)券商此前就分析(xī)，如(rú)果美(měi)光在中国区销售(shòu)受到限制，或将(jiāng)导致下游客102693是哪个学校代码，10532是哪个学校代码户转而采购国(guó)外三星、 SK海力士，国内长江(jiāng)存储、长鑫存储(chǔ)等竞对产品(pǐn)

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂或从(cóng)中受益。存(cún)储(chǔ)器的生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入(rù)3D NAND时(shí)代，2 维(wéi)到(dào)3维的结构转变使刻蚀和薄膜成(chéng)为最关(guān)键、最大量(liàng)的(de)加工设(shè)备。3D NAND每层均需要经过薄(báo)膜(mó)沉积工艺(yì)步骤，同(tóng)时刻(kè)蚀目前前沿要(yào)刻(kè)到(dào) 60：1的(de)深(shēn)孔，未来(lái)可能会(huì)更深的孔(kǒng)或者沟槽，催生(shēng)更多设(shè)备需求(qiú)。据东(dōng)京电子披(pī)露，薄膜(mó)沉积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产(chǎn)线资(zī)本开支合计为75％。自长江存(cún)储被加入美国限制名单，设备(bèi)国产化进程加速，看好拓荆科技（薄(báo)膜沉(chén)积）等相关(guān)公司份额提(tí)升，以及存储业务占比较高的(de)华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海(hǎi)（清洗）等收入增长。

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