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　　美光公司在华销售的产品未通过网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查(chá)

　　据网信办消息，日(rì)前，网相亲对象不回消息算拒绝吗，相亲女拒绝你一般有三种暗示(wǎng)络安全审查(chá)办公室依(yī)法对美光公司在华销售产(chǎn)品进行(xíng)了网(wǎng)络安全审查。

　　审查(chá)发现，美光公司产品存在较严重网(wǎng)络安全问题隐患，对我国(guó)关键信息基础(chǔ)设施供应链造成重大安全风险，影响我国国(guó)家安(ān)全。为此，网络安(ān)全(quán)审查办(bàn)公室依(yī)法作出不予通(tōng)过网络安(ān)全审查的结论。按照(zhào)《网络安全(quán)法》等法律法规，我国内关键信息基(jī)础设施(shī)的运营者应(yīng)停(tíng)止采购美(měi)光公司产品。

　　此次对美(měi)光公司(sī)产品(pǐn)进行网络安全(quán)审查，目的是防范产品(pǐn)网络安全问(wèn)题危害(hài)国家关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施安(ān)全(quán)，是维护国家安(ān)全的必要措(cuò)施。中国(guó)坚定(dìng)推(tuī)进(jìn)高(gāo)水平对外开放，只要遵守中国法律法(fǎ)规(guī)要求，欢迎各(gè)国企业(yè)、各类平台产(chǎn)品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信(xìn)网发文称，为(wèi)保(bǎo)障关键信息(xī)基(jī)础设施供应(yīng)链(liàn)安全，防范产品(pǐn)问题隐患造(zào)成(chéng)网络安全风险，维护(hù)国(guó)家安全，依(yī)据《中华人民(mín)共和国(guó)国家安(ān)全法》《中(zhōng)华人(rén)民共(gòng)和国网(wǎng)络(luò)安(ān)全法》，网络(luò)安(ān)全审查办公室按(àn)照《网络(luò)安(ān)全审查办法》，对美光公司(sī)（Micron）在华销售的(de)产品(pǐn)实施网络(luò)安(ān)全审(shěn)查(chá)。

　　美光是美国的存储芯片行业龙(lóng)头，也是全球存储(chǔ)芯片巨头之一，2022年收(shōu)入来自(zì)中国市场收入从(cóng)此(cǐ)前(qián)高(gāo)峰57％降至2022年(nián)约11％。根据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场(chǎng)份(fèn)额(é)约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士(shì)、美光在全(quán)球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为(wèi)相亲对象不回消息算拒绝吗，相亲女拒绝你一般有三种暗示 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司(sī)中，江(jiāng)波龙、佰维(wéi)存(cún)储等公(gōng)司披露过(guò)美光等国(guó)际存(cún)储厂商为公司供应商。

　　美光(guāng)在江(jiāng)波龙(lóng)采购占比已经显著下降，至少已经不(bù)是主要大供应商。

　　公告(gào)显示， 2021年美光位列(liè)江波龙第(dì)一大(dà)存储(chǔ)晶圆供应(yīng)商，采(cǎi)购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第(dì)二大和第三大供应商采购金额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目(mù)前江(jiāng)波龙已经在存储产业(yè)链上下游建立(lì)国内外广泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美光(guāng)、西部(bù)数据等主要存(cún)储晶圆原厂签(qiān)署了长期合约，确(què)保存储晶圆供应的稳定性，巩固公相亲对象不回消息算拒绝吗，相亲女拒绝你一般有三种暗示司(sī)在下(xià)游市场的供应优势，公司也与(yǔ)国内国(guó)产存储晶圆(yuán)原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良(liáng)好的合作。

　　有券商此前(qián)就分析，如果美光在中国区销(xiāo)售受到限制，或将导致(zhì)下游客户转(zhuǎn)而采购国外三(sān)星、 SK海力士，国内长江(jiāng)存储、长鑫存储等竞(jìng)对产(chǎn)品(pǐn)

　　分(fēn)析称，长存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂或从中(zhōng)受益。存储器的(de)生(shēng)产已经(jīng)演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工(gōng)艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的(de)结构转变使(shǐ)刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每(měi)层均(jūn)需(xū)要(yào)经过(guò)薄膜沉积(jī)工(gōng)艺步骤，同(tóng)时(shí)刻(kè)蚀(shí)目前(qián)前(qián)沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或(huò)者(zhě)沟槽，催生更(gèng)多设备(bèi)需(xū)求。据东京电子(zi)披露，薄膜(mó)沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支(zhī)合计为75％。自长江(jiāng)存储被加入美(měi)国限制(zhì)名单，设(shè)备国产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉(chén)积）等相关公司份额(é)提升，以及存储业务(wù)占(zhàn)比较(jiào)高的华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗(xǐ)）等收入增长。

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