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　　美光公司在华销售(shòu)的产品(pǐn)未通过(guò)网络安全审查

　　据网(wǎng)信办消(xiāo)息，日前(qián)，网络(luò)安全审(shěn)查办公室依法(fǎ)对美光公司在华(huá)销售产品(pǐn)进行了网络(luò)安全审(shěn)查。

　　审查发现，美光公司产品存在较严重(zhòng)网络安全问题隐患，对我(wǒ)国关键信息基础(chǔ)设施供应链造成重大(dà)安全风险，影响我(wǒ)国国家安全。为此，网络安(ān)全审(shěn)查办公室依(yī)法作出不予(yǔ)通(tōng)过网络安全审查(chá)的(de)结(jié)论。按照《网络安全法》等法律法规，我国内(nèi)关(guān)键信息(xī)基础(chǔ)设(shè)施的运(yùn)营一米等于多少微米等于多少纳米，一厘米等于多少微米者应停止采购美光(guāng)公(gōng)司(sī)产品。

　　此次对美光公司(sī)产品进行网络安全审查，目的是防范(fàn)产(chǎn)品(pǐn)网络安(ān)全问题危害(hài)国(guó)家关键(jiàn)信息(xī)基础设(shè)施安(ān)全，是(shì)维护(hù)国家安全(quán)的必要措施。中国(guó)坚(jiān)定推(tuī)进高水平对外开放，只要遵守中(zhōng)国(guó)法(fǎ)律法(fǎ)规(guī)要求(qiú)，欢迎各国(guó)企业、各(gè)类平(píng)台产(chǎn)品服务进(jìn)入中国(guó)市场。

　　3月31日，中国网信(xìn)网发文称(chēng)，为保(bǎo)障关键信息基(jī)础设施供应链安全，防范产(chǎn)品问(wèn)题隐患造成网络安全风(fēng)险，维护国家安全(quán)，依据(jù)《中华人(rén)民共(gòng)和国国(guó)家安全法》《中华人民(mín)共和(hé)国网络安全法》，网(wǎng)络安全审查办公室按照《网络(luò)安(ān)全(quán)审查办(bàn)法》，对美(měi)光公(gōng)司（Micron）在华销售的产品实施网络安全审(shěn)查。

　　美(měi)光是美国的存储芯片行(xíng)业龙头(tóu)，也(yě)是全球(qiú)存储芯片巨头之(zhī)一，2022年收(shōu)入(rù)来自中国(guó)市(shì)场收入(rù)从此前高(gāo)峰57％降至2022年(nián)约(yuē)11％。根据市(shì)场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪(shǎn)存）市(shì)场份(fèn)额约(一米等于多少微米等于多少纳米，一厘米等于多少微米yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美(měi)光在全球(qiú) DRAM （内存）市场(chǎng)份(fèn)额(é)约为(wèi) 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波龙(lóng)、佰维(wéi)存储等(děng)公司(sī)披露过美光等国际存储(chǔ)厂(chǎng)商为公司供应商(shāng)。

　　美光在江(jiāng)波龙采购占(zhàn)比(bǐ)已经显著下降，至少(shǎo)已经(jīng)不是主要(yào)大供应商。

　　公告显示， 2021年美(měi)光(guāng)位(wèi)列江波(bō)龙第一大存储晶(jīng)圆供应商，采购(gòu)约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大、第(dì)二大和第三大(dà)供应商采购金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前(qián)江波龙(lóng)已经在存储(chǔ)产(chǎn)业链(liàn)上下游建立(lì)国内(nèi)外(wài)广(guǎng)泛(fàn)合(hé)作。2022年(nián)年报显示，江波龙与三星、美光、西部数(shù)据等主要存储晶圆原厂签署了(le)长期合约，确保(bǎo)存储晶(jīng)圆供(gōng)应的稳定(dìng)性(xìng)，巩固公(gōng)司在下游市场的供应(yīng)优势，公司也(yě)与国内(nèi)国(guó)产(chǎn)存储(chǔ)晶圆原厂(chǎng)武汉长江存储(chǔ)、合肥长鑫保持良(liáng)好的(de)合作。

　　有券(quàn)商此(cǐ)前就分析，如果(guǒ)美光(guāng)在中国区销(xiāo)售受(shòu)到限制，或将(jiāng)导(dǎo)致下游客(kè)户转而(ér)采购国(guó)外三星(xīng)、 SK海力(lì)士，国(guó)内长(zhǎng)江(jiāng)存储、长(zhǎng)鑫(xīn)存储等竞对产品

　　分析(xī)称，长存、长鑫的上游设备厂或从(cóng)中受益。存(cún)储(chǔ)器的(de)生(shēng)产(chǎn)已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维(wéi)到3维的结构转(zhuǎn)变使刻蚀和(hé)薄膜(mó)成(chéng)为最关键、最大量的加工设备(bèi)。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄膜(mó)沉积工艺(yì)步(bù)骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来(lái)可能会更深的孔或(huò)者(zhě)沟槽，催生更多设备需(xū)求。据东(dōng)京电子披露，薄膜沉积设备及(jí)刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存储被加入美国限制名单，设(shè)备国产化进程加速，看(kàn)好拓荆科(kē)技（薄膜沉积）等相关公司份(fèn)额提升(shēng)，以(yǐ)及存(cún)储业务(wù)占比较高的华海清科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增(zēng)长。

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