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　　美光公司(sī)在华销售(shòu)的产品未通(tōng)过网络安全审查

　　据网(wǎng)信办消(xiāo)息，日前，网络安(ān)全(quán)审查(chá)办公室依法对美光公司在(zài)华(huá)销售产品进行了网(wǎng)络安全审查。

　　审查发现，美光公司(sī)产品存在较严(yán)重网(wǎng)络安全问题隐(yǐn)患，对我国(guó)关(guān)键(jiàn)信息基础设施(sh七分之二十二是无理数吗，七分之22是不是无理数ī)供应链造成(chéng)重大安(ān)全风险(xiǎn)，影(yǐng)响我(wǒ)国(guó)国家安全。为(wèi)此，网络安全审查办公室依法作出不予通过网络安全审查(chá)的结论。按照《网络(luò)安全法》等法律法规，我国内关键信息(xī)基础设施的运营者应停止采(cǎi)购美光公(gōng)司(sī)产品。

　　此次对美光公司产品进行(xíng)网络安全审查，目(mù)的(de)是防范(fàn)产品网络安全问(wèn)题(tí)危(wēi)害国家关键信息基础设施(shī)安全，是(shì)维(wéi)护(hù)国家安全的(de)必要措施。中国坚(jiān)定推进高水平(píng)对外开放(fàng)，只要遵(zūn)守(shǒu)中国(guó)法律法规要求，欢(huān)迎各(gè)国(guó)企业、各(gè)类平台(tái)产品服务进(jìn)入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为(wèi)保障(zhàng)关键信息基(jī)础设施供应链安(ān)全，防(fáng)范产品问题(tí)隐患(huàn)造成网络安全风险(xiǎn)，维护国(guó)家(jiā)安全，依据《中华(huá)人民共和国国家(jiā)安全法》《中(zhōng)华人(rén)民共和(hé)国网(wǎng)络安全法》，网(wǎng)络(luò)安全(quán)审(shěn)查办公室按(àn)照《网(wǎng)络(luò)安全(quán)审查办(bàn)法》，对(duì)美(měi)光公司（Micron）在华销售的产品实施(shī)网络安(ān)全审查(chá)。

　　美(měi)光七分之二十二是无理数吗，七分之22是不是无理数是(shì)美国(guó)的(de)存储芯(xīn)片行(xíng)业龙(lóng)头(tóu)，也是全(quán)球存储芯片巨头之一，2022年(nián)收入来(lái)自中国市场收(shōu)入从(cóng)此(cǐ)前高峰57％降至(zhì)2022年约(yuē)11％。根(gēn)据市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西部数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力士(shì)、美光在全(quán)球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰(bǎi)维存储等公(gōng)司披露过美光等(děng)国际存储(chǔ)厂商为公司(sī)供应商。

　　美光在江波龙(lóng)采购(gòu)占比已经显著下降，至少已经(jīng)不(bù)是主要大供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年(nián)美光位(wèi)列江波龙第一大存储(chǔ)晶(jīng)圆供应商，采购(gòu)约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一(yī)大、第二(èr)大和第三(sān)大供应商(shāng)采购金额(é)占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经(jīng)在存(cún)储(chǔ)产业链(liàn)上下游建立国内外广泛合(hé)作。2022年年报显示(shì)，江波(bō)龙与三(sān)星、美光(guāng)、西部数(shù)据等(děng)主要存储晶圆原(yuán)厂(chǎng)签署(shǔ)了长期合约，确保存储晶圆供应的(de)稳定(dìng)性(xìng)，巩固公司(sī)在下(xià)游市(shì)场的供应优(yōu)势，公(gōng)司也(yě)与国内国产存储晶(jīng)圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫(xīn)保持良好的合作。

　　有券商此前就分析，如果美光在中国区销售受(shòu)到限制，或(huò)将导致下(xià)游(yóu)客户转而采购(gòu)国外三星(xīng)、 SK海力士，国内长江存(cún)储、长鑫存储等(děng)竞对(duì)产品

　　分析(xī)称，长存、长(zhǎng)鑫的(de)上(shàng)游设备厂或从中受益。存(cún)储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结构(gòu)转变使(shǐ)刻(kè)蚀和薄膜成为最关键、最(zuì)大量的加工设备。3D NAND每层均需要(yào)经(jīng)过(guò)薄(báo)膜沉(chén)积工艺步(bù)骤，同(tóng)时(shí)刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔，未来可能会(huì)更深的孔或(huò)者(zhě)沟(gōu)槽，催生(shēng)更多设备需(xū)求。据东京电子披露，薄膜沉(chén)积设备(bèi)及(jí)刻蚀(shí)占3D NAND产(chǎn)线资(zī)本(běn)开支合计(jì)为(wèi)75％。自长江存储(chǔ)被加入美(měi)国(guó)限制名单，设备国产化进程加速，看好(hǎo)拓荆科技（薄(báo)膜沉(chén)积）等相(xiāng)关(guān)公司份额提升，以及存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海(hǎi)（清洗）等收入(rù)增长(zhǎng)。

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