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　　美(měi)光公司(sī)在华销(xiāo)售的产(chǎn)品未通过网络安(ān)全(quán)审查

　　据网信办消(xiāo)息，日前，网络安全审查办公(gōng)室(shì)依法对(duì)美光公司(sī)在华销售产(chǎn)品进行(xíng)了网络安(ān)全审查。

　　审查发现，美光公司产(chǎn)品存在较严重网络(luò)安全问题隐患(huàn)，对我国关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施供应链造(zào)成重(zhòng)大安全风险，影(yǐng)响(xiǎng)我国国家(jiā)安全。为此(cǐ)，网络安全审查办公室依(yī)法作出不(bù)予通过网络安全审查的结论。按照《网络安全(quán)法》等法(fǎ)律法规，我国内(nèi)关键信息基(jī)础设施的(de)运(yùn)营者应停止采购美光公司(sī)产品。

　　此次对美(měi)光公司产(chǎn)品进(jìn)行网络安全审查，目的是防范产品(pǐn)网(wǎng)络安全问题危害国家关键信息基础设施安全，是维护国家安全的必(bì)要(yào)措施。中国坚定推(tuī)进(jìn)高水平对(duì)外开放，只要遵(zūn)守中国法律法(fǎ)规要求，欢迎各国企(qǐ)业(yè)、各类平(píng)台产(chǎn)品服务进入中(zhōng)国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网发文称，为(wèi)保障关键信息(xī)基础设施供应链安全(quán)，防(fáng)范产品问题(tí)隐患造成(chéng)网络安(ān)全风险，维(wéi)护国(guó)家安全(quán)，依据《中华(huá)人民共和国(guó)国家安全法》《中华人民共和国网络(luò)安全法》，网(wǎng)络安(ān)全审查办公室按(àn)照《网(wǎng)络(luò)安全(quán)审查(chá)办法(fǎ)》，对美光公司(sī)（Micron）在华销(xiāo)售的产品实(shí)施网络安全审查。

　　美光是美国(guó)的存储芯片(piàn)行(xíng)业龙头，也是全球(qiú)存储芯片巨头之一，2022年收入来自中国市场收入从此前高峰57％降至(zhì)2022年(nián)约11％。根(gēn)据(jù)市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子、 铠(kǎi)侠(xiá)、西部数据(jù)、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在(zài)全球 DRAM （内(nèi)存(cún)）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江波龙、佰维存储等公(gōng)司(sī)披露(lù)过美光等(děng)国际存储厂商为(wèi)公司供应商。

　　美光在江波龙采购占(zhàn)比已经(jīng)显著下降，至少已经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美刽子手，刽子手念gui还是念kuai读音lor: #ff0000; line-height: 24px;'>刽子手，刽子手念gui还是念kuai读音光(guāng)位列江波龙第一(yī)大存储(chǔ)晶(jīng)圆供(gōng)应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一(yī)大(dà)、第(dì)二大和(hé)第三大供(gōng)应商采购金额占比(bǐ)分别(bié)是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已(yǐ)经在存储产业链上(shàng)下游(yóu)建立国内外广泛(fàn)合作。2022年(nián)年报显示，江波龙与三(sān)星、美光、西部数据等主要存储晶圆原厂签(qiān)署了长期合约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固公司在下游市(shì)场(chǎng)的供应优势(shì)，公司也(yě)与国(guó)内国产存储晶圆原(yuán)厂(chǎng)武汉(hàn)长江存储、合肥长鑫保持良好(hǎo)的(de)合作(zuò)。

　　有券商此前就(jiù)分析，如果美(měi)光在中国(guó)区销售(shòu)受(shòu)到限制，或将导(dǎo)致(zhì)下游客户转而采购国(guó)外三星、 SK海力士，国内长(zhǎng)江(jiāng)存储、长鑫存储(chǔ)等竞对(duì)产品

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的上游设(shè)备(bèi)厂或从(cóng)中受益。存储器的生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代(dài)，2 维(wéi)到3维的结(jié)构转(zhuǎn)变使(shǐ)刻蚀和薄膜成为最关键、最(zuì)大量的(de)加工设备。3D NAND每(měi)层均(jūn)需要经过(guò)薄膜沉(chén)积工艺步骤，同(tóng)时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的(de)深(shēn)孔，未来可能会更深的孔或者沟槽，催生更多设备需求。据东京电子披露，薄膜沉积(jī)设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开(kāi)支(zhī)合计为(wèi)75％。自长(zhǎng)江存储被加入美国(guó)限制名单，设备国产化(huà)进程加速，看好拓(tuò)荆科技（薄膜沉积）等(děng)相(xiāng)关公(gōng)司份(fèn)额提升，以及存储业(yè)务占比较高的华(huá)海清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等收(shōu)入(rù)增长。

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