感应电流公式3个公式推导，感应电流公式3个公式图解

　　大家好(hǎo)，来看一则突(tū)发消息。

　　美光公司在华销售(shòu)的(de)产品(pǐn)未通过(guò)网(wǎng)络安全审(shěn)查

　　据网信办消息(xī)，日前(qián)，网(wǎng)络安(ān)全审查(chá)办公室依法对美(měi)光(guāng)公(gōng)司在华销(xiāo)售产(chǎn)品进(jìn)行了网络(luò)安全审查。

　　审查发现，美光公司(sī)产品存(cún)在较(jiào)严重网络安全问题隐患，对我国关键信(xìn)息基础设施(shī)供应链造成重大安全(quán)风险，影响我国国家(jiā)安(ān)全。为此(cǐ)，网络(luò)安全(quán)审查办公室依(yī)法作出不予通过网络安(ān)全审查(chá)的结论。按(àn)照《网络安全(quán)法》等法律法规，我(wǒ)国内关键信息基础(chǔ)设(shè)施(shī)的运营者应(yīng)停止采(cǎi)购美光(guāng)公司产品。

　　此次对美(měi)光公司产品进行网(wǎng)络安全审(shěn)查，目的(de)是防范产品网络安(ān)全问题危害国家关(guān)键信息基础设(shè)施(shī)安全，是维护国家安全的必要措施。中国坚定(dìng)推进(jìn)高水平对(duì)外开(kāi)放，只要遵守中(zhōng)国法(fǎ)律法规要(yào)求，欢迎(yíng)各国企业、各(gè)类平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日(rì)，中国(guó)网信网发文(wén)称，为保障关键信息基(jī)础设施(shī)供应链安全，防范产品问题隐患造成网络安(ān)全风险，维护国家安全，依据《中华人民(mín)共和国国(guó)家安全法(fǎ)》《中华人民共和国(guó)网络安(ān)全法》，网络安全审查办公室按照《网络安全(quán)审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售(shòu)的产(chǎn)品实施网络安(ān)全审查。

　　美光是美国的(de)存储芯片行业龙头，也是全球存(cún)储芯片巨(jù)头(tóu)之(zhī)一，2022年收入(rù)来自中国市场收入从(cóng)此前高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根(gēn)据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士(shì)、美光(guāng)在全球 DRAM （内存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波龙、佰维存储(chǔ)等公司披露(lù)过美(měi)光等(děng)国际(jì)存储厂商为公司供应商。

　　美光在(zài)江波龙采购占比已经显(xiǎn)著(zhù)下(xià)降，至(zhì)少(shǎo)已(yǐ)经(jīng)不是主要大供应商。

　　公告显示(shì)， 2021年美光位列江波(bō)龙第一大存储晶圆供应(yīng)商(shāng)，采购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大、第二大(dà)和第三大供(gōng)应商(shāng)采购金额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在存储(chǔ)产业链上下游建立国内外(wài)广泛合(hé)作。2022年(nián)年(nián)报显(xiǎn)示，江波(bō)龙(lóng)与(yǔ)三星、美光、西部(bù)数(shù)据等主要存储晶圆原(yuán)厂签(qiān)署了长期合约，确(què)保存储晶圆(yuán)供(gōng)应的稳定性，巩固公司在下游(yóu)市场的(de)供应优势，公司也与国(guó)内国(guó)产存储晶圆原(yuán)厂武(wǔ)汉(hàn)长江存储(chǔ)、合肥长鑫保(bǎo)持良好的合作。

　　有券商此(cǐ)前就分析，如果美光在中国区销(xiāo)售受(shòu)到限制，或将(jiāng)导致下游客户转而(ér)采购国(guó)外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫(xīn)存(cún)储等竞对产品

　　分(fēn)析(xī)称，长存、长鑫(xīn)的上游(yóu)设(shè)备厂或从(cóng)中受益(yì)。存储(chǔ)器的生产已经(jīng)演(yǎn)进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已(yǐ)经(jīng)进(jìn)入3D NAND时代(dài)，2 维到3维(wéi)的结构转变使刻蚀(shí)和(hé)薄膜成为最关键、最大(dà)量的(de)加工设备。3D NAND每(měi)层均需要经过(guò)薄(báo)膜(mó)沉积工艺步骤，同时刻(kè)蚀目(mù)前前沿要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来可能会更深的孔(kǒng)或者(zhě)沟(gōu)槽，催生更多设(shè)备需求。据东京(jīng)电子披露，薄(báo)膜沉积(jī)设备(bèi)及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本开支(zhī)合计为75％。自长江存储被加感应电流公式3个公式推导，感应电流公式3个公式图解入(rù)美国限制名单(dān)，设备(bèi)国产化(huà)进程加(jiā)速，看好(hǎo)拓荆科技（薄(báo)膜沉(chén)积）等相关公司份额(é)提升，以及存储业(yè)务占比较高(gāo)的华海清科(kē)（CMP）、盛(shèng)美(měi)上海（清洗）等收(shōu)入增长。

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