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　　美光公司在(zài)华销售的产品(pǐn)未通过网络安全审查

　　据网(wǎng)信办(bàn)消息，日(rì)前，网络安全审查(chá)办公室依(yī)法对(duì)美光公司(sī)在华销售产(chǎn)品进行了网络安全(quán)审查。

　　审查发现，美光公司产品(pǐn)存(cún)在较严重网络安全问(wèn)题隐患，对我国(guó)关(guān)键信(xìn)息基础(chǔ)设(shè)施供应链造(zào)成重大安全风险，影响我(wǒ)国(guó)国家安全。为此，网美国总统奥巴马几岁络(luò)安(ān)全审(shěn)查(chá)办公室依法作出不(bù)予(yǔ)通过网络(luò)安(ān)全(quán)审查(chá)的结(jié)论(lùn)。按(àn)照《网络安全法》等法律法规，我国内(nèi)关键信(xìn)息基础设施的运营(yíng)者应停止采(cǎi)购美(měi)光公司(sī)产品。

　　此(cǐ)次对(duì)美光(guāng)公(gōng)司产品进行网络安全(quán)审查，目的是防范产品网络安(ān)全(quán)问题(tí)危害国家关键信息基础(chǔ)设施安全，是维(wéi)护国家安全的(de)必要措施(shī)。中国坚定推(tuī)进高水平对外开放，只(zhǐ)要遵守中国法律法规要(yào)求，欢(huān)迎各国(guó)企业(yè)、各类平台产品(pǐn)服(fú)务进入中(zhōng)国市场。

　　3月3美国总统奥巴马几岁1日，中国网信网发文(wén)称，为保障关键信息基础(chǔ)设施供(gōng)应链安全(quán)，防(fáng)范(fàn)产品问(wèn)题隐患造(zào)成(chéng)网络安全风险(xiǎn)，维护国家安全(quán)，依据《中华人民共和国国(美国总统奥巴马几岁guó)家安全法》《中华人(rén)民共和(hé)国(guó)网络(luò)安全(quán)法》，网(wǎng)络安(ān)全审(shěn)查办(bàn)公室按照《网络安全(quán)审查办(bàn)法》，对美光(guāng)公司（Micron）在华(huá)销(xiāo)售的产品(pǐn)实施网(wǎng)络安全审查。

　　美光(guāng)是美(měi)国的存储芯片行业龙(lóng)头，也是全球(qiú)存储芯片巨(jù)头之(zhī)一，2022年(nián)收(shōu)入来自中国(guó)市场收入从(cóng)此前高(gāo)峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市场咨(zī)询(xún)机(jī)构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美(měi)光(guāng)、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪(shǎn)存）市(shì)场份额约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美光在全(quán)球 DRAM （内存）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储等公司披露过美光等国际存储厂商(shāng)为(wèi)公司供应(yīng)商。

　　美光(guāng)在江波龙采购占比已经显著下降(jiàng)，至少已经不是主要大供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位列江波龙(lóng)第一大存(cún)储晶圆供应商，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第二大(dà)和第三大供应(yīng)商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙(lóng)已经在存(cún)储产业链(liàn)上下(xià)游建立(lì)国内外广泛(fàn)合作(zuò)。2022年年报(bào)显(xiǎn)示，江波龙与三星、美光、西部数据(jù)等(děng)主要存储(chǔ)晶圆(yuán)原(yuán)厂签署了长期合约，确保(bǎo)存储晶圆供应的稳定性，巩固公司在下(xià)游市场的供应优势，公司也与国内国产存储晶圆原厂武(wǔ)汉长江存储(chǔ)、合肥长(zhǎng)鑫保持良好的合(hé)作。

　　有券(quàn)商此前(qián)就分(fēn)析，如果美光(guāng)在(zài)中国(guó)区销售受到限(xiàn)制，或将导致下游客(kè)户转而采(cǎi)购(gòu)国外三(sān)星、 SK海力士，国(guó)内长(zhǎng)江存储、长(zhǎng)鑫存(cún)储等竞对(duì)产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂(chǎng)或从中受益。存储(chǔ)器(qì)的(de)生产已(yǐ)经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进(jìn)入3D NAND时(shí)代(dài)，2 维到3维的结(jié)构转变使(shǐ)刻蚀(shí)和(hé)薄膜成为最关键、最大(dà)量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉(chén)积(jī)工(gōng)艺步骤(zhòu)，同时刻蚀(shí)目(mù)前(qián)前沿要刻到 60：1的深孔，未来可(kě)能会(huì)更深的孔(kǒng)或者(zhě)沟槽，催生更多设备(bèi)需求(qiú)。据东京电子披露，薄膜沉积设备(bèi)及(jí)刻(kè)蚀占(zhàn)3D NAND产线(xiàn)资本(běn)开支合计为75％。自长江存储被加入(rù)美国限制名单，设备国产化进程加速，看好(hǎo)拓荆(jīng)科技（薄膜沉(chén)积）等相关公(gōng)司份额(é)提升，以及存储业务占(zhàn)比较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清(qīng)洗）等收入增长。

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