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　　美光公司(sī)在(zài)华(huá)销售的产品未通过网络安(ān)全审查(chá)

　　据网信办消息，日(rì)前，网络安我的贤内助是什么意思，贤内助是什么意思啊全审查(chá)办公室依法对(duì)美光公司(sī)在华(huá)销售产品(pǐn)进行了(le)网(wǎng)络安(ān)全审查。

　　审查发现，美(měi)光公司产(chǎn)品存在(zài)较严(yán)重(zhòng)网络安全问题隐(yǐn)患，对(duì)我国关键(jiàn)信(xìn)息基础设施供应链造成(chéng)重大安全(quán)风险，影响我国国家安全。为此，网络安全审查办公室依法作(zuò)出不(bù)予通过网络安(ān)全审查的结论。按照(zhào)《网络(luò)安全(quán)法》等法律法规(guī)，我国内关键信息基础(chǔ我的贤内助是什么意思，贤内助是什么意思啊)设(shè)施的运(yùn)营者应停止采购(gòu)美光公(gōng)司产品(pǐn)。

　　此次对(duì)美(měi)光公(gōng)司产品进行网(wǎng)络(luò)安全审查，目的是(shì)防范(fàn)产品网络(luò)安全问题(tí)危害国家关键信息(xī)基础设施安(ān)全，是维(wéi)护(hù)国家安(ān)全的必要措(cuò)施。中国(guó)坚(jiān)定推进高水平(píng)对外(wài)开放，只要遵守(shǒu)中国法律法(fǎ)规要(yào)求(qiú)，欢迎(yíng)各国企业(yè)、各(gè)类平台产(chǎn)品服(fú)务(wù)进入(rù)中国(guó)市场。

　　3月31日，中国网信(xìn)网发文称(chēng)，为保(bǎo)障关键(jiàn)信息(xī)基础设施供(gōng)应(yīng)链安全，防范产品问(wèn)题(tí)隐患造成网络安全风险(xiǎn)，维护国家安全，依据《中(zhōng)华人(rén)民共和国国家安(ān)全法》《中华人民共和国网络安(ān)全法》，网络安(ān)全审查(chá)办公室按照《网络安(ān)全审查办法》，对美光公司(sī)（Micron）在华销售的产品实施网络安全审(shěn)查。

　　美光(guāng)是美国的存储芯片(piàn)行业龙头，也是全球存储芯片巨(jù)头之一，2022年收入来自中国市(shì)场收(shōu)入从此前(qián)高(gāo)峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根(gēn)据市场(chǎng)咨(zī)询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子、 铠(kǎi)侠(xiá)、西部数据、SK 海力士(shì)、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存(cún)）市场份(fèn)额约(yuē)为(wèi) 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储等公司披露(lù)过美光等国际存储厂(chǎng)商为(wèi)公司供应商。

　　美光在江波龙采购(gòu)占(zhàn)比已经显著下降，至少已经不是主要大(dà)供应(yīng)商(shāng)。

　　公(gōng)告(gào)显示， 2021年美光位列江波龙第一(yī)大存储晶(jīng)圆供应商，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一大、第(dì)二大和(hé)第三大供应商采购金额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上下游建立国内外广泛合作。2022年年报显示(shì)，江波(bō)龙与三星、美(měi)光(guāng)、西部(bù)数据等主要存储(chǔ)晶圆原厂签署了长期合约，确保存储(chǔ)晶圆供应的稳定性(xìng)，巩固公司在下(xià)游市场的供(gōng)应优势，公司也与(yǔ)国(guó)内国产存储(chǔ)晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良好(hǎo)的合作。

　　有券(quàn)商此前就分析，如果美(měi)光在中国区销售受到限制，或(huò)将导致下游客户转(zhuǎn)而(ér)采购国外三星、 SK海(hǎi)力士，国(guó)内(nèi)长(zhǎng)江存储、长(zhǎng)鑫存储(chǔ)等(děng)竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的(de)上游设备(bèi)厂或从中(zhōng)受(shòu)益(yì)。存储器的生产(chǎn)已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在(zài)已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使(shǐ)刻(kè)蚀和薄膜(mó)成为最关键、最大量的(de)加工设(shè)备(bèi)。3D NAND每层均需(xū)要经过(guò)薄膜沉(chén)积工艺(yì)步骤，同时(shí)刻蚀目前前沿要刻(kè)到 60：1的深(shēn)孔(kǒng)，未来可能会更(gèng)深(shēn)的孔或者(zhě)沟槽(cáo)，催生更(gèng)多设备需(xū)求。据(jù)东京电子披露，薄(báo)膜沉积设备及(jí)刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资(zī)本(běn)开支合计为75％。自长(zhǎng)江存储被加入美国限制名单，设备国产化进程加速，看(kàn)好拓荆科技（薄膜沉积）等相(xiāng)关公司(sī)份(fèn)额提升，以及存储业务占比(bǐ)较(jiào)高的华海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等(děng)收入增(zēng)长。

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